砷注入硅热退火过程中杂质再分布的计算机模拟

张廷庆; 刘家璐; 李向明; 温玉波; 李东宏

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砷注入硅热退火过程中杂质再分布的计算机模拟

更新时间：2022-08-16

- 砷注入硅热退火过程中杂质再分布的计算机模拟
- The computer simulation of arsenic redistribution in silicon after implantation and annealing
- 核技术 1989年12卷第6期
- 作者机构：
  
  西北电讯工程学院微电子研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1987-10-12，
  
  纸质出版日期：1989-06
- 稿件说明：
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张廷庆, 刘家璐, 李向明, 等. 砷注入硅热退火过程中杂质再分布的计算机模拟[J]. 核技术, 1989,12(6):371-375.

Tingqing Zhang, Jialu Liu, Xiangming Li, et al. The computer simulation of arsenic redistribution in silicon after implantation and annealing[J]. Nuclear techniques, 1989, 12(6): 371-375.
张廷庆, 刘家璐, 李向明, 等. 砷注入硅热退火过程中杂质再分布的计算机模拟[J]. 核技术, 1989,12(6):371-375. DOI：

Tingqing Zhang, Jialu Liu, Xiangming Li, et al. The computer simulation of arsenic redistribution in silicon after implantation and annealing[J]. Nuclear techniques, 1989, 12(6): 371-375. DOI：

摘要

根据T. L. Chiu和H. N. Ghosh提出的双受主空位扩散模型，采用Crank-Nicolson六点差分法离散变系数扩散方程，对砷离子注入硅的扩散系数及退火后的杂质分布进行了计算机模拟，并与SRP实测结果、SUPREM-II的模拟结果进行了比较。结果表明，用本模型模拟的砷注入硅的扩散分布和结深与SRP实测值比较符合。

Abstract

It is proposed that double acceptor-level vacancies are responsible for arsenic diffusion in silicon. The diffusion equation is solved using the Crank-Nicolson differential method. A computer program is used to calculate diffusion coefficient and diffusion distribution of arsenic implanted into silicon. The results on diffusion distribution and junction depth are compared with the SRP measured profiles and the SUPREM-II simulation. A good agreement with the measured values has been observed.

关键词

Keywords

references

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