低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究

曾宇昕; 程国安; 王水凤; 肖志松

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低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究

更新时间：2021-03-12

- 低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究
- Phase structure of silicon-based film implanted with low flux Nd ion
- 核技术 2003年第11期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所
  2. 南昌大学
  3. 北京师范大学低能核物理研究所北京 100083 南昌大学,南昌,330047
  4. 330047 北京师范大学低能核物理研究所教育部射线束材料工程开放实验室北京,南昌,100875
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金（69766001）资助()
- DOI：
  中图分类号： O482.4
- 纸质出版日期：2003-11-01
- 稿件说明：
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[1]曾宇昕,程国安,王水凤,肖志松.低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究[J].核技术,2003(11):823-826.

ZENG Yuxin CHENG Guoan WANG Shuifeng XIAO Zhisong. Phase structure of silicon-based film implanted with low flux Nd ion[J]. Nuclear techniques, 2003, (11): 823-826.
[1]曾宇昕,程国安,王水凤,肖志松.低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究[J].核技术,2003(11):823-826. DOI：

ZENG Yuxin CHENG Guoan WANG Shuifeng XIAO Zhisong. Phase structure of silicon-based film implanted with low flux Nd ion[J]. Nuclear techniques, 2003, (11): 823-826. DOI：

摘要

采用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中

经高温快速退火处理

制备了结晶良好的钕硅掺杂层。用扫描电子显微镜（SEM）、反射式高能电子衍射（RHEED）和X射线衍射（XRD）分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化。研究结果表明

经高温热处理

注入层形成结晶良好的钕硅化合物

出现由Nd5Si4相向NdSi相转变的趋势。并对其转变过程进行了初步探讨。

Abstract

Neodymium ions were implanted into silicon epitaxial layer with MEWA ion source in low ion flux. Nd silicides with good properties were synthesized after rapid thermal annealing (RTA). Comprehensive analyses including scanning electron microscope (SEM)

reflection high energy electron diffraction (RHEED) and X-ray diffraction (XRD) show that the Nd silicides formed by MEVVA ion implantation have good crystalline quality. The XRD result indicates a phase transition from Nd5Si4 to NdSi

and the transition process is also discussed.

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