GaN HEMT器件电子辐照效应研究

罗尹虹; 郭红霞; 张科营; 王圆明; 张凤祁

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GaN HEMT器件电子辐照效应研究

低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-05

- GaN HEMT器件电子辐照效应研究
- Electron beam irradiation effect on GaN HEMT
- 核技术 2011年34卷第7期
- 作者机构：
  
  西北核技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN386.1
- 纸质出版日期：2011-07-01
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]罗尹虹,郭红霞,张科营,王圆明,张凤祁.GaN HEMT器件电子辐照效应研究[J].核技术,2011,34(07):507-511.

LUO YinHong GUO HongXia ZHANG FengQi YAO ZhiBin HE BaoPing. Electron beam irradiation effect on GaN HEMT[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(7): 507-511.
[1]罗尹虹,郭红霞,张科营,王圆明,张凤祁.GaN HEMT器件电子辐照效应研究[J].核技术,2011,34(07):507-511. DOI：

LUO YinHong GUO HongXia ZHANG FengQi YAO ZhiBin HE BaoPing. Electron beam irradiation effect on GaN HEMT[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(7): 507-511. DOI：

摘要

对GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明

0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束

饱和漏电流增大

阈值电压负向漂移主要是由于AlGaN层中电离辐射产生的俘获正电荷以及GaN层中非电离能量损失产生的N、Ga空位所引起的。栅电流增加主要是由于非电离能量损失在AlGaN势垒层形成的电子陷阱和俘获正电荷引起TAT效应（trap-assisted tunneling）所导致。

Abstract

In this work

GaN HEMTs(High Electron Mobility Transistor) were irradiated by 0.8 and 1.2 MeV electron beams

and the irradiation effects were investigated.The results show that the device damage caused by 0.8 MeV electrons is more serious than that by 1.2 MeV electrons.Saturation drain current increase and threshold voltage negative shift are due to trapped positive charge from ionization in the AlGaN layer and N

Ga vacancy from non-ionizing energy loss in the GaN layer.Electron traps and trapped positive charges from non-ionizing in the AlGaN layer act as trap-assisted-tunneling centers that increase the gate leakage current.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

内辐射带质子和电子被动屏蔽

电子束在多层材料中的背散射效应

极性晶体极轴方向负性单空位及空间电子密度分布规律的正电子湮没测试方法研究