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基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值
低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-05
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    • 基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值

    • Simulation of proton NIEL in silicon by using GEANT4

    • 核技术   2011年34卷第7期
    • 中图分类号： O562.3

    • 纸质出版日期：2011-07-01

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  • [1]路伟,王同权,王兴功,刘雪林.基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值[J].核技术,2011,34(07):529-531. DOI：

    LU Wei1 WANG Tongquan2 WANG Xinggong1 LIU Xuelin1 1. Simulation of proton NIEL in silicon by using GEANT4[J]. Nuclear techniques, 2011, 34(7): 529-531. DOI：

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