MOS电容的衬底热电子注入响应特性

余学峰; 艾尔肯; 张国强; 任迪远; 陆妩; 郭旗; 严荣良

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MOS电容的衬底热电子注入响应特性

更新时间：2021-03-12

- MOS电容的衬底热电子注入响应特性
- Response of MOS capacitor to substrate hot- carrier ejection
- 核技术 2000年第12期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011
  2. 中国科学院新疆
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN305
- 纸质出版日期：2000-12-01
- 稿件说明：
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[1]余学峰,艾尔肯,张国强,任迪远,陆妩,郭旗,严荣良.MOS电容的衬底热电子注入响应特性[J].核技术,2000(12):869-872.

YU Xuefeng, Erkin, ZHANG Guoqiang, et al. Response of MOS capacitor to substrate hot- carrier ejection[J]. Nuclear techniques, 2000, (12): 869-872.
[1]余学峰,艾尔肯,张国强,任迪远,陆妩,郭旗,严荣良.MOS电容的衬底热电子注入响应特性[J].核技术,2000(12):869-872. DOI：

YU Xuefeng, Erkin, ZHANG Guoqiang, et al. Response of MOS capacitor to substrate hot- carrier ejection[J]. Nuclear techniques, 2000, (12): 869-872. DOI：

摘要

为研究抗热载于损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－ＶＲ准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了ＭＯＳ结构热载子损伤的特性和机理。

Abstract

N-type MOS capacitors have been experimented with Substrate Hot-carrier Ejection (SHE). By means of high frequency and quasi-static C-V techniques

the characteristics and mechanism of MOS structure’s damage induced by SHE have been studied from the changes of oxide charges and interface states as well as distribution of the interface state with the energy before and after SHE. The results are helpful to further harden MOS devices from hot carrier ejection damage.

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相关机构

中国科学院新疆物理研究所

北京大学重离子物理教育部重点实验室

北京大学化学与分子工程学院

北京大学重离子物理教育部重点实验室

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