您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
更新时间:2021-03-12
    • PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应

    • Radiation effects of PMOSFET irradiated by pulse X-ray

    • 核技术   2005年第2期
    • 中图分类号: TN32
    • 纸质出版日期:2005-02-01

    移动端阅览

  • [1]靳涛,杨志安,杨祖慎,姚育娟,罗伊虹.PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应[J].核技术,2005(02):105-108. DOI:

    JIN Tao. Radiation effects of PMOSFET irradiated by pulse X-ray[J]. Nuclear techniques, 2005, (2): 105-108. DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

100

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

LM118J-8和OP07运算放大器电路抗γ辐射实时模拟研究
N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应
CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析
L82C87集成电路的总剂量辐射效应研究
137Cs辐照小麦干种子M1代的辐射效应和细胞学分析

相关作者

孙旭芳
刘运宏
徐伟
王荣
段立颖
徐曦
杨怀民
袁国火

相关机构

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
天津市电源研究所
北京师范大学低能核物理研究所
北京师范大学低能核物理研究所 北京 100875 北京师范大学低能核物理研究所
北京市辐射中心
0