高能氩离子辐照SiO<sub>2</sub>玻璃的正电子寿命谱学研究

朱智勇; 孙友梅; 金运范; 李长林; 侯明东; 刘昌龙; 张崇宏; 孟庆华; 王志光; 陈克勤; 鲁光军

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高能氩离子辐照SiO₂玻璃的正电子寿命谱学研究

更新时间：2021-03-12

- 高能氩离子辐照SiO₂玻璃的正电子寿命谱学研究
- Positron lifetime study of SiO₂ glass irradiated with high energy Ar ions
- 核技术 2001年第6期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院近代物理研究所,兰州,730000
  2. 中
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  (No.ZX069)
- DOI：
  中图分类号： TL34
- 纸质出版日期：2001-06-01
- 稿件说明：
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[1]朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军.高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究[J].核技术,2001(06):439-444.

ZHU Zhiyong SUN Youmei JIN Yunfan LI Changlin HOU Mingdong LIU Changlong ZHANG Chonghong MENG Qinghua WANG Zhiguang CHEN Keqin. Positron lifetime study of SiO₂ glass irradiated with high energy Ar ions[J]. Nuclear techniques, 2001, (6): 439-444.
[1]朱智勇,孙友梅,金运范,李长林,侯明东,刘昌龙,张崇宏,孟庆华,王志光,陈克勤,鲁光军.高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究[J].核技术,2001(06):439-444. DOI：

ZHU Zhiyong SUN Youmei JIN Yunfan LI Changlin HOU Mingdong LIU Changlong ZHANG Chonghong MENG Qinghua WANG Zhiguang CHEN Keqin. Positron lifetime study of SiO₂ glass irradiated with high energy Ar ions[J]. Nuclear techniques, 2001, (6): 439-444. DOI：

摘要

用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照

并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明

在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里

平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄

峰位下移

显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大

第二正电子寿命成分的强度逐渐增加

而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小

这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游

使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大

从而减小了正电子素的形成几率。

Abstract

SiO 2 glass specimens were irradiated with 1.15GeV Ar ions at room temperature. Positron lifetime spectroscopy was applied to investigate the radiation induced microscopic changes. It was found that for the unirradiated specimen about 81% positrons annihilate from positronium (Ps) states. Free volumes of about 2.5nm in radius and distributed from 0.02—0.13nm 3 are found from the o-Ps lifetime. Under irradiation the free volume distribution function narrows down and the peak position shifts to lower value

which indicate the densification of the material. With increasing dose

the intensity of the second lifetime component increases whereas the intensity of the component corresponding to o-Ps decreases. This was attributed to the prefered annihilation of positrons with the radiation-ionized electrons wandering in free volumes.

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高能氩离子辐照SiO2玻璃的正电子寿命谱学研究

Positron lifetime study of SiO2 glass irradiated with high energy Ar ions

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