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MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性
更新时间：2021-03-12
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    • MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性

    • Hot-carrier injection induced interface states in MOS structure and their annealing characteristics

    • 核技术   2006年第1期
    • 中图分类号： TN386.1

    • 纸质出版日期：2006-01-01

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  • [1]余学峰,艾尔肯,任迪远,郭旗,张国强,陆妩.MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性[J].核技术,2006(01):19-21. DOI：

    YU Xuefeng AI Erken REN Diyuan GUO Qi ZHANG Guoqiang LU Wu. Hot-carrier injection induced interface states in MOS structure and their annealing characteristics[J]. Nuclear techniques, 2006, (1): 19-21. DOI：

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相关作者

郭旗
陆妩
余学锋
任迪远
严荣良
石见见
赵文增
郭雪莲

相关机构

中国科学院新疆物理研究所
武汉大学 物理与科学技术学院 核固体物理湖北省重点实验室
中国科学院近代物理研究所
中国科学院大学
兰州大学
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