您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化
更新时间:2021-03-12
    • GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化

    • Change in radiation tolerance of GaAs solar cells due to the MQW structure

    • 核技术   2006年第4期
    • 中图分类号: TM914.4
    • 纸质出版日期:2006-04-01

    移动端阅览

  • [1]刘运宏,王荣,孙旭芳,杨靖波,段立颖.GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化[J].核技术,2006(04):268-270. DOI:

    LIU Yunhong1, 2 WANG Rong1, 3 SUN Xufang2 YANG Jingbo2 DUAN Liying2 1. Change in radiation tolerance of GaAs solar cells due to the MQW structure[J]. Nuclear techniques, 2006, (4): 268-270. DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

65

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究
0.28-2.80MeV质子辐射对空间实用GaInP/GaAs/Ge多结太阳电池性能的影响
碳离子辐射对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响的研究
NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究
裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

相关作者

孙梦利
杨迪
袁伟
郭红霞
王铁山
彭海波
杜鑫
刘运宏

相关机构

西北核技术研究所
兰州大学 核科学与技术学院
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京 100875 北京师范大学低能核物理研究所
100875 北京师范大学低能核物理研究所 北京 100875 北京市辐射中心 北京
0