您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析
更新时间：2021-03-12
|

    • 电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析

    • Electrical performance analysis of electron irradiated SiGe HBT and Si BJT

    • 核技术   2005年第3期
    • 中图分类号： O472

    • 纸质出版日期：2005-03-01

    移动端阅览

  • [1]黄文韬,王吉林,刘志农,陈长春,陈培毅,钱佩信,孟祥提.电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析[J].核技术,2005(03):213-216. DOI：

    HUANG Wentao WANG Jilin LIU Zhinong CHEN Changchun CHEN Peiyi QIAN Peixin. Electrical performance analysis of electron irradiated SiGe HBT and Si BJT[J]. Nuclear techniques, 2005, (3): 213-216. DOI：

  •  
  •  

0

浏览量

161

下载量

4

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

基于多芳氨基甲烷类化合物的变色薄膜制备及其电子辐照剂量学研究
电子辐照对苎麻纤维结晶度的影响研究
一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性
超薄和超薄绒面Si太阳电池的1-MeV电子辐照特征
一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性

相关作者

魏 昇
辛 勇
李翠红
李 欢
林理彬
徐雪春
侯春宇
韩兆磊

相关机构

南昌大学理学院
四川大学辐射物理与技术教育部重点实验室
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院
中国科学院新疆理化技术研究所
天津电源研究所 乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院
0