绿豆种胚中离子注入深度的研究

苏一; 李毅; 辛华; 张通和

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绿豆种胚中离子注入深度的研究

更新时间：2021-04-09

- 绿豆种胚中离子注入深度的研究
- Ion implantation depth in embryos of mung bean
- 核技术 1997年第12期
- 作者机构：
  
  1. 天津师范大学
  2. 天津轻工业学院
  3. 北京师范大学低能核物理研究所
  4. 天津师范大学天津轻工业学院北京师范大学低能核物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金,天津市农委科研项目资助()
- DOI：
  中图分类号： TL503.3
- 纸质出版日期：1997-12-01
- 稿件说明：
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[1]苏一,李毅,辛华,张通和.绿豆种胚中离子注入深度的研究[J].核技术,1997(12):15-18.

Su Xi Li Yi. Ion implantation depth in embryos of mung bean[J]. Nuclear techniques, 1997, (12).
[1]苏一,李毅,辛华,张通和.绿豆种胚中离子注入深度的研究[J].核技术,1997(12):15-18. DOI：

Su Xi Li Yi. Ion implantation depth in embryos of mung bean[J]. Nuclear techniques, 1997, (12). DOI：

摘要

通过ＳＥＭ和ＳＩＭＳ检测到了离子注入以后绿豆种胚内部的铜元素和钛元素的浓度随深度的分布和形貌变化。说明离子注入诱发突变是带电粒子直接作用的结果。

Abstract

The concentration distribution of copper and titanium ions and topography in the embryos of mung bean were measured by SEM and SIMS. It is shown that the implantation depth of 70-80 μm is obviously greater than the ion′s ranges

which suggests that the improvement on breeding is caused by the direct effect of ion implantation.

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