背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究

王海洋; 郑齐文; 崔江维; 李豫东; 郭旗

doi:10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.050502

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背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究

核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25

- 背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究
- Damage law and mechanism of total dose of PDSOI transistors with different channel lengths caused by backgate bias
- “在半导体领域，研究人员探究了背栅偏置对PD SOI MOSFETs电参数的影响，发现背栅偏置能显著增强长沟晶体管的损伤。”
- 核技术 2022年45卷第5期文章编号：050502
- 作者机构：
  
  1.中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011
  2.中国科学院大学北京 100049
- 作者简介：
  
  王海洋，男，1998年出生，2018年毕业于哈尔滨工业大学，现为硕士研究生，研究方向为SOI器件背栅调控总剂量效应机理及模型
  郭旗，E-mail：guoqi@ms.xjb.ac.cn
- 基金信息：
  
  新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(2021D01E06);国家自然科学基金(12075313);中国科学院青年创新促进会(2020430;2018473)
- DOI：10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.050502
  中图分类号： TL99
- 收稿日期：2022-02-18，
  
  修回日期：2022-03-10，
  
  纸质出版日期：2022-05-15
- 稿件说明：
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王海洋,郑齐文,崔江维等.背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究[J].核技术,2022,45(05):49-54.

WANG Haiyang,ZHENG Qiwen,CUI Jiangwei,et al.Damage law and mechanism of total dose of PDSOI transistors with different channel lengths caused by backgate bias[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2022,45(05):49-54.
王海洋,郑齐文,崔江维等.背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究[J].核技术,2022,45(05):49-54. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.050502.

WANG Haiyang,ZHENG Qiwen,CUI Jiangwei,et al.Damage law and mechanism of total dose of PDSOI transistors with different channel lengths caused by backgate bias[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2022,45(05):49-54. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.050502.

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背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究

Damage law and mechanism of total dose of PDSOI transistors with different channel lengths caused by backgate bias

DOI：10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.050502