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碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究
加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2024-10-25
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    • 碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究

    • Proton irradiation damage in silicon carbide junction barrier Schottky diode

    • “在抗辐照应用领域，国产碳化硅结势垒肖特基二极管展现出优异的抗中能质子辐照损伤能力。通过10 MeV质子辐照实验，明确了器件辐射效应退化机制，为中能质子环境应用评估提供数据支撑。”
    • 核技术   2023年46卷第2期 文章编号：020203

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.020203    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2022-06-25，

      修回日期：2022-10-18，

      纸质出版日期：2023-02-15

    移动端阅览

  • 刘翠翠,李治明,韩金华等.碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究[J].核技术,2023,46(02):020203. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.020203.

    LIU Cuicui,LI Zhiming,HAN Jinhua,et al.Proton irradiation damage in silicon carbide junction barrier Schottky diode[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2023,46(02):020203. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.020203.

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