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不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • 不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究

    • Total ionizing dose effect of enhanced AlGaN/GaN HEMT devices under different bias

    • “在抗辐照应用领域，氮化镓功率器件备受关注。针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，开展不同偏置条件下的γ射线辐照与退火试验，分析器件电学性能响应规律。结果表明，随着辐照剂量增加，器件特性退化，高温退火有助于性能恢复。研究为氮化镓器件空间环境应用评估提供数据支撑。”
    • 核技术   2023年46卷第11期 文章编号：110502

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.110502    

      中图分类号： TN386

    • 收稿日期：2023-04-24，

      纸质出版日期：2023-11-15

    移动端阅览

  • 邱一武,郭风岐,殷亚楠等.不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究[J].核技术,2023,46(11):110502. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.110502.

    QIU Yiwu,GUO Fengqi,YIN Yanan,et al.Total ionizing dose effect of enhanced AlGaN/GaN HEMT devices under different bias[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2023,46(11):110502. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2023.hjs.46.110502.

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