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SiC探测器的中子和γ性能测试
核电子学与仪器 | 更新时间：2024-10-25
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    • SiC探测器的中子和γ性能测试

    • Neutron and gamma performance testing of silicon carbide semiconductor detectors

    • “第三代SiC半导体探测器在反应堆堆芯剂量监测领域取得新进展，实现了中子转换层厚度优化，具有良好的线性响应和n/γ剂量响应范围，为核电现场监测提供解决方案。”
    • 核技术   2024年47卷第3期 文章编号：030402

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.030402    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2023-05-09，

      修回日期：2023-07-11，

      纸质出版日期：2024-03-15

    移动端阅览

  • 施海宁,应红,张涛等.SiC探测器的中子和γ性能测试[J].核技术,2024,47(03):030402. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.030402.

    SHI Haining,YING Hong,ZHANG Tao,et al.Neutron and gamma performance testing of silicon carbide semiconductor detectors[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(03):030402. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.030402.

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