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SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究
核电子学与仪器 | 更新时间：2024-10-25
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    • SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究

    • Transient radiation response of SOI transistors and SOI devices

    • “在瞬时电离辐射效应研究领域，专家采用激光装置和脉冲γ射线辐射源，对SOI器件和集成电路进行了辐照试验，揭示了其与体硅器件的差异，为相关研究提供了新思路。”
    • 核技术   2024年47卷第4期 文章编号：040402

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.040402    

      中图分类号： TN386.1

    • 收稿日期：2023-07-23，

      修回日期：2023-09-18，

      纸质出版日期：2024-04-15

    移动端阅览

  • 杜川华,段丙皇,熊涔等.SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究[J].核技术,2024,47(04):040402. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.040402.

    DU Chuanhua,DUAN Binghuang,XIONG Cen,et al.Transient radiation response of SOI transistors and SOI devices[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(04):040402. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.040402.

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