增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究

邱一武; 董磊; 殷亚楠; 周昕杰

doi:10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.120503

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增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究

核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2025-01-07

- 增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究
- Experimental study on 5 MeV proton irradiation of enhancement-mode GaN HEMT devices
- “在抗辐照应用领域，氮化镓器件性能优异备受关注。研究了增强型Cascode级联结构和P-GaN栅结构GaN HEMT器件的5 MeV质子辐照试验，分析器件电学特性退化规律，并明确其质子辐照效应损伤机制。研究结果对GaN功率器件加固设计和航天应用器件选型具有一定的参考价值。”
- 核技术 2024年47卷第12期文章编号：120503
- 作者机构：
  
  中国电子科技集团公司第五十八研究所无锡214035
- 作者简介：
  
  邱一武，男，1993年出生，2019年于哈尔滨工业大学获硕士学位，工程师，主要从事抗辐射IC设计，宽禁带半导体器件辐射效应及可靠性分析
  周昕杰，E-mail：zhouxinjie2000@sina.com
- 基金信息：
  
  抗辐照应用技术创新中心创新基金(KFZC2021010202)
- DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.120503
  中图分类号： TN386
- 收稿日期：2024-07-09，
  
  修回日期：2024-09-09，
  
  纸质出版日期：2024-12-15
- 稿件说明：
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邱一武,董磊,殷亚楠等.增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究[J].核技术,2024,47(12):120503.

QIU Yiwu,DONG Lei,YIN Yanan,et al.Experimental study on 5 MeV proton irradiation of enhancement-mode GaN HEMT devices[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(12):120503.
邱一武,董磊,殷亚楠等.增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究[J].核技术,2024,47(12):120503. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.120503. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2024.47.120503.

QIU Yiwu,DONG Lei,YIN Yanan,et al.Experimental study on 5 MeV proton irradiation of enhancement-mode GaN HEMT devices[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(12):120503. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.120503. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2024.47.120503.

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增强型GaN HEMT器件5 MeV质子辐照试验研究

Experimental study on 5 MeV proton irradiation of enhancement-mode GaN HEMT devices

DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.120503