3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究

彭善成; 李一言; 马慧磊; 杜铭骐; 刘传歆; 贺周同

doi:10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070502

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3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究

核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-07-08

- 3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究
- Preparation and ultrasonic cutting of 3C-SiC nanowires by chemical vapor deposition method
- “最新研究揭示3C-SiC纳米线在核能领域的应用潜力，通过化学气相沉积法成功制备并表征其微观结构，探索超声裁剪加工过程，为核能领域材料研究提供新视角。”
- 核技术 2024年47卷第7期文章编号：070502
- 作者机构：
  
  1.中国科学院上海应用物理研究所上海 201800
  2.中国科学院大学北京 100049
  3.南华大学核科学技术学院衡阳 421001
  4.石河子大学理学院石河子 832003
  5.西北工业大学超高温结构复合材料重点实验室西安 710072
- 作者简介：
  
  彭善成，男，1999年出生，2024年于中国科学院大学获硕士学位，研究领域为碳基材料
  贺周同，E-mail：hezhoutong@sinap.ac.cn
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(U20B2010)
- DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070502
  中图分类号： TL99
- 纸质出版日期：2024-07-15，
  
  收稿日期：2024-03-07，
  
  修回日期：2024-03-21，
- 稿件说明：
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彭善成,李一言,马慧磊等.3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究[J].核技术,2024,47(07):070502--070502-.

PENG Shancheng,LI Yiyan,MA Huilei,et al.Preparation and ultrasonic cutting of 3C-SiC nanowires by chemical vapor deposition method[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(07):070502--070502-.
彭善成,李一言,马慧磊等.3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究[J].核技术,2024,47(07):070502--070502-. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070502.

PENG Shancheng,LI Yiyan,MA Huilei,et al.Preparation and ultrasonic cutting of 3C-SiC nanowires by chemical vapor deposition method[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(07):070502--070502-. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070502.

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3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究

Preparation and ultrasonic cutting of 3C-SiC nanowires by chemical vapor deposition method

DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070502