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500 keV电子辐照对自支撑还原氧化石墨烯薄膜的影响
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2025-03-21
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    • 500 keV电子辐照对自支撑还原氧化石墨烯薄膜的影响

    • The 500 keV electron irradiation effect on free-standing reduced graphene oxide film

    • “据最新研究报道，还原氧化石墨烯薄膜在高能电子辐照下电阻增大，结构和化学组成发生变化，热稳定性略有提升，石墨烯层间距增加。”
    • 核技术   2025年48卷第2期 文章编号：020502

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240290    

      中图分类号： TL1

    • 收稿日期：2024-07-17，

      修回日期：2024-09-18，

      纸质出版日期：2025-02-15

    移动端阅览

  • 甄小娟,黄一凡,冯展祖等.500 keV电子辐照对自支撑还原氧化石墨烯薄膜的影响[J].核技术,2025,48(02):020502. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240290. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2025.48.240290.

    ZHEN Xiaojuan,HUANG Yifan,FENG Zhanzu,et al.The 500 keV electron irradiation effect on free-standing reduced graphene oxide film[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2025,48(02):020502. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240290. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2025.48.240290.

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